混合集成電路封裝_福英達(dá)錫膏
混合集成電路封裝_福英達(dá)錫膏
混合集成電路是通過將裸芯片直接固定到基板并與基板實(shí)現(xiàn)互連結(jié)構(gòu)而形成的高組裝密度電路?；旌霞呻娐房梢允菍煞N或多種元件封裝到一起形成微電子電路，例如將一個(gè)集成電路和一個(gè)無源電子元件封裝到一起，并安裝在PCB上。制作混合集成電路是一個(gè)較為簡(jiǎn)單的程序，大致步驟包括將IC和無源元件組裝到同一塊基板上，然后再將他們用塑料等材料封裝起來。將元件組裝到同一塊基板上可以減少焊點(diǎn)數(shù)量，并且減少原件間距和電流路徑。
圖1. 混合集成電路。
混合集成電路可以分為兩大類，一種是薄膜混合集成電路，另一種是厚膜混合集成電路。薄膜混合集成電路的基板材料可以選擇玻璃或陶瓷，焊接后能帶來更好的散熱性能。基板上預(yù)制的互連導(dǎo)線和焊盤一般是通過物理/化學(xué)氣相沉積或?yàn)R射金屬薄膜所制成，然后通過光刻工藝對(duì)其蝕刻出特定圖案。氣相沉積通常采取閃蒸將金屬物質(zhì)沉積在基板上。濺射法通過可以達(dá)到很高的薄膜沉積率并且不需要高溫處理。此外薄膜混合集成電路導(dǎo)線寬度和間距很小，通常為3–5mils。
厚膜混合集成電路也選擇陶瓷材料例如氧化鋁，氮化鋁和氧化鈹作為互連基板。不同的是厚膜混合集成電路采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)在基板上涂覆錫膏等導(dǎo)電焊料形成較厚的膜。需要厚膜有良好的導(dǎo)電性，兼容性和黏著力。厚膜混合集成電路的導(dǎo)線寬度和間距很小。很多廠家會(huì)選擇10-20mils的導(dǎo)線。相比更細(xì)的導(dǎo)線，稍粗點(diǎn)的導(dǎo)線能夠提高元件產(chǎn)量。并且厚膜混合集成電路的比薄膜混合集成電路有著更好的成本優(yōu)勢(shì)。
多芯片模組(MCM)
MCM是混合集成電路技術(shù)發(fā)展的一個(gè)擴(kuò)展產(chǎn)物。混合集成技術(shù)對(duì)封裝的密度的提升造就了MCM的發(fā)展。這意味著MCM的基板上會(huì)含有更多的集成電路芯片。MCM的種類有MCM-L (疊層), MCM-C (共燒陶瓷)和MCM-D (淀積)。MCM-基板可以是剛性，柔性或剛性柔性混合。剛性MCM-L基板通常由環(huán)氧基聚合物樹脂電介質(zhì)制成，并用玻璃纖維加固。MCM-L封裝技術(shù)是其中最低密度的一種，自然而然制造的成本也最低。值得注意的是MCM-L和板上芯片封裝技術(shù)(COB)非常相似。MCM-C是以共燒陶瓷混合集成電路技術(shù)為基礎(chǔ)而研發(fā)的封裝模組。陶瓷基板有高溫共燒和低溫共燒兩種。
圖2. 一種MCM結(jié)構(gòu)。
深圳市福英達(dá)為客戶提供優(yōu)質(zhì)的超微錫膏產(chǎn)品，錫膏產(chǎn)品能用做集成電路封裝導(dǎo)電焊料。其中錫鉍銀錫膏產(chǎn)品熔點(diǎn)溫度能低至139℃，適用于低溫焊接的場(chǎng)景。福英達(dá)還可提供熔點(diǎn)達(dá)到280℃的金錫錫膏，滿足高溫焊接需求。此外福英達(dá)還有其他類型不同溫度的錫膏，歡迎了解。
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