熱梯度在錫膏焊接中的應(yīng)用-深圳市福英達(dá)
熱梯度在錫膏焊接中的應(yīng)用-深圳市福英達(dá)
當(dāng)前微電子行業(yè)的封裝朝著高密度和小體積方向發(fā)展，此舉顯然是為了拓展摩爾定律。因此在封裝中用到的錫膏/焊點(diǎn)往往直徑細(xì)小。微小焊點(diǎn)內(nèi)的晶粒的類型和性質(zhì)對(duì)于研究焊點(diǎn)的性質(zhì)變得至關(guān)重要。熱梯度鍵合是一種目前討論較多的焊接方法，不少人認(rèn)為熱梯度的應(yīng)用能夠通過(guò)固液互擴(kuò)散鍵合控制金屬間化合物(IMCs)定向生長(zhǎng)，從而獲得特定性能的微小焊點(diǎn)。與之相反的是，固液互擴(kuò)散鍵合在等溫條件下需要很長(zhǎng)時(shí)間來(lái)形成完整的IMCs，并且IMCs的取向很難精確控制。
1. 熱梯度鍵合實(shí)驗(yàn)
為了深入了解熱梯度對(duì)焊接的影響。Zhang等人采用了SAC305來(lái)鍵合上下端的銅焊盤。兩個(gè)銅焊盤的尺寸都為10×10×2mm。熱梯度鍵合采用加熱臺(tái)來(lái)實(shí)現(xiàn)，加熱臺(tái)的熱端溫度為400℃，冷端溫度為100℃。
圖1. 熱梯度鍵合實(shí)驗(yàn)。
2. 熱梯度鍵合實(shí)驗(yàn)結(jié)果
在加熱過(guò)程中，可以明顯觀察到Cu6Sn5的形成。在Cu6Sn5和Cu焊盤之間的較薄IMC層是Cu3Sn。從圖中可以發(fā)現(xiàn)，熱梯度鍵合使IMCs生長(zhǎng)速度發(fā)生變化。在熱端IMCs沒(méi)有表現(xiàn)出明顯的生長(zhǎng)，而冷端的IMCs生長(zhǎng)速度很快。隨著鍵合時(shí)間的增加，冷端IMCs數(shù)量顯著增加，而熱端IMCs變化不明顯。此外，隨著焊料層厚度增加，Cu6Sn5在熱梯度鍵合焊點(diǎn)中呈現(xiàn)出細(xì)長(zhǎng)的柱狀形態(tài)。不同的是，等溫焊接下的IMCs在焊點(diǎn)兩端基本是對(duì)稱生長(zhǎng)。
圖2. 熱梯度鍵合的IMC生長(zhǎng)。焊料層厚度: (a)20μm; (b)60μm; (c)100μm。
當(dāng)焊料層厚度為20μm時(shí)，熱梯度鍵合冷端IMCs的生長(zhǎng)速度最快。隨著厚度增加，冷端IMCs生長(zhǎng)速度受鍵合時(shí)間的影響會(huì)逐漸減弱。因此熱梯度鍵合可以通過(guò)控制焊料層厚度和鍵合時(shí)間來(lái)制造全I(xiàn)MC焊點(diǎn)。
下圖顯示了Cu/SAC305/Cu焊點(diǎn)中Sn晶界的錯(cuò)位取向分布。等溫鍵合和熱梯度鍵合的錯(cuò)位取向分布大致在0°-15°和55°-65°之間。然而，等溫鍵合會(huì)使Sn晶界的錯(cuò)位取向分布更為分散，而熱梯度鍵合能讓對(duì)單個(gè)焊點(diǎn)中的Sn分布更集中。
圖3. Sn晶界的錯(cuò)位取向分布。焊料層厚度：(a)20μm(熱梯度); (b)60μm(熱梯度); (c)100μm(熱梯度); (d)100μm(等溫)。
3. 福英達(dá)錫膏
深圳市福英達(dá)在焊料界深耕多年，有著豐富的SAC305，SnBi57.6Ag0.4等錫膏焊料的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品焊接強(qiáng)度優(yōu)秀，粘度可定制化，可適用于印刷和點(diǎn)膠等多種工藝。歡迎客戶與我們了解更多產(chǎn)品信息。
4. 參考文獻(xiàn)
Zhang, Z.Z., Hu, X.W., Chen, W.J., Tan, S.F., Chen, B., Wang, J., Jiang, J., Huang, Y.F., Zhu, G.Y., He, Y.S., Jiang, X.X. & Li, Q.L. (2023). Study of microstructure, growth orientations and shear performance of Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu solder joints by using thermal gradient bonding. Materials Characterization, vol.203.
返回列表
